Fue desarrollado un transistor de efecto de campo con una velocidad un 40% mayor, y 10% más de eficiencia energética; en comparación a los transistores más avanzados creados por la tecnológica estadounidense, Intel, y la Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC). Tal dispositivo fue creado por investigadores de la Universidad de Pekín, China; quienes publicaron los resultados en la revista Nature Materials.
Asimismo, estos artilugios electrónicos fueron elaborados a partir de bismuto, en vez de silicio, el cual es el elemento comúnmente empleado para su fabricación. El uso de este compuesto, según los científicos, permite a los transistores resolver las limitaciones impuestas por el silicio ,al implementar circuitos integrados de tamaño inferior al límite actual de 3 nanómetros.
Al respecto, el líder del estudio, Peng Hailin, declaró contundentemente que este «es el transistor más rápido y eficiente jamás creado. Si las innovaciones en chips basadas en materiales existentes se consideran un atajo, entonces nuestros transistores basados en materiales 2D son como cambiar de carril».
Seguidamente, detalló que esta nueva tecnología alberga el potencial de constituir la próxima generación de semiconductores. Parte de esta innovación se basa en la tecnología Gaafet (Gate-All-Around Field-Effect Transistor), la cual es bidimensional, mientras que los transistores actuales más avanzados emplean el Finfet (transistor de efecto de campo de aleta), el cual es tridimensional.
Con información de Xataka
